保险丝的种类比较多,按照类型可分为电流保险丝、温度保险丝、自恢复保险丝;这三大类中又包含其他电阻。
电流保险丝:是当电路发生故障或异常时,伴随着电流不断升高,并且升高的电流可能损坏电路中的某些重要器件。在电流异常达到一定的高度、热度时,自身熔断切断电流,从而起到保护电路安全运行的作用。
电流保险丝包含:贴片保险丝、微型保险丝、插件保险丝、管状保险丝。
温度保险丝:是一种不可恢复的一次性热敏保护器件,有RH、RF、RY等系列,产品外观结构精巧、密封性好、动作灵敏可靠、电流冲击影响小、耐振动。
温度保险丝包含:RH方型温度保险丝、RP电阻型温度保险丝、RY金属壳温度保险丝。
自恢复保险丝:是一种电流过大导致电路呈现开路状态的可自动恢复的保险丝,属于多次利用型,适用于过载保护电路。
自恢复保险丝包含:插件自恢复保险丝、叠片式自恢复保险丝、贴片保险丝。
USB即通用串行总线,是连接电脑系统与外部设备的一种串行总线标准,也是一种输入输出接口的技术规范。比如在电脑、手机、电视等电子类产品,USB应用是很广泛的。从1996年出现,到如今已经升级了很多标准版本,如USB1.0、USB1.1、USB2.0、USB3.0、USB3.1、USB type-C,随着每个版本的升级都是数据传输速率的提高和供电能力的提升。
USB接口支持设备的即插即用和热插拔功能,人们经常用手来进行USB接口的插拔,极易在USB接口引入静电干扰。静电放电(ESD)容易造成USB接口芯片工作异常、甚至造成USB连接端口组件损坏。数据传输速率越来越快,这也造成控制芯片对静电放电(ESD)的耐受能力也有所下降,同时对数据传输的容错率要求越严,在对静电进行防护的同时要保证数据的准确性。在USB接口添加静电保护器件可有效提高USB接口的静电防护等级,降低USB端口的故障率,防止静电对USB接口造成损害。
MOS管发热有哪些原因造成的?
Mos管发热的原因通常是以下4个原因造成的;
1:电路设计的问题,让MOS管工作切换成线性的工作状态,而不是处于开关状态;如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,这样才能完全导通,P-MOS则相反,没有完全打开的而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这也是在设计电路中最忌讳的错误。
2:频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管的损耗增大,引起发热。
3:没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到,所以ID小于最大电流,也就可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4:MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大,
半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件,具有精确导通、快速响应(响应时间为ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。但它的导通特性接近于短路,不能直接用于有源电路中,在这样的电路中使用时必须加限流元件,使其续流小于最小维持电流。
每种聚合物自恢复保险丝都有一特定的工作电压、承受特定的冲击电流。
安规规定聚合物自恢复保险丝必须在动作6000次后仍能表现出PTC效应。对应用于通讯设备上的聚合物自恢复保险丝规定了在最大电压下,少则十几次多达上百次动作后其各种性能参数仍在原有范围内。值得注意的一点,聚合物自恢复保险丝是用来进行保护的,而不是用在将其不停的动作视为正常工作状态的场合。
半导体放电管也称固态放电管是一种PNP元件,当外加电压低于断态电压时,器件处于断开状态;当电压超过它的断态峰值电压时,半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的转折电压内;电压继续增大时,半导体放电管由于负阻效应进入导通状态,近乎短路;当外加电压恢复正常,电流能很快下降并低于维持电流,元件自动复位并恢复到高阻抗状态,电路便会正常工作。
晶振在振荡电路中,出现无法正常工作的情况,一般是一下4个原因造成的:
1、如果振荡电路不起作用,在产品上运行的模块就无法正常工作。可能是振荡无法启动或振荡停止造成的。
2、如果实际振荡频率超出了模块所需的频率范围,就会发生IC交易时序错误传输/接受错误。可能是实际振荡频率与标称频率不同造成的。
3、如果振幅过小,就无法产生钟脉冲,很大可能是IC故障所致。可能是振幅过小的原因造成的。
4、如果晶体谐振器实际驱动功率大于规定的最大驱动电平,振荡频率的温度特性就可能不正常。这可能是IC故障所致。可能是振荡频率的温度特性不正常的原因造成的。
以上是比较常见的原因,在实际电路中晶振不能正常工作的原因,还是要综合考虑。
电容器的实际静电容量值随着直流(DC)与交流(AC)电压而变化的现象叫做电压特性。该变化幅度越小,说明电压特性越好,幅度越大,说明电压特性越差。以消除电源线纹波等为目的在电子设备上使用电容器时,必须设想使用电压条件进行设计。
直流偏置特性是指,对电容器施加直流电压时实际静电容量发生变化(减少)的现象。这种现象是使用了钛酸钡系铁电体的高介电常数类片状多层陶瓷电容器特有的现象,导电性高分子的铝电解电容器(高分子AI)和导电性高分子钽电解电容器(高分子Ta)、薄膜电容器(Film)、氧化钛和使用了锆酸钙系顺电体的温度补偿用片状多层陶瓷电容器(MLCC<COG)上几乎不会发生这种现象。
各种电容器的静电容量变化率-直流偏置特性(示例)
交流电压特性是指,对电容器施加交流电压时实际静电容量发生变化(增减)的现象。这一现象与直流偏置现象相同,是使用钛酸钡系铁电体的高介电常数类片状多层陶瓷电容器特有的现象,导电性高分子的铝电解电容器(高分子AI)和导电性高分子钽电解容器(高分子Ta)、薄膜电容器(Film)、氧化钛和使用锆酸钙系的顺电体的温度补偿用片状多层陶瓷电容器(MLCC<COG)上几乎不会发生这种现象。
各种电容器的静电容量变化率-交流电压特性(示例)
这三个系列的陶瓷电容器都可应用于汽车领域,它们各自有擅长的应用领域:
GCM系列:发动机控制模块、巡航控制模块、爆震控制调整器、安全气囊、防抱死系统、四轮转向系统、自动传动、悬架系统、动力转向、点火器、致关重要的控制设备、自动驾驶ECU、自动驾驶传感器、V2X系统、电动汽车车载充电器、电动汽车BMS、EV车用逆变器等;
GRT系列:汽车音响、汽车导航、汽车空调、全球定位系统、雨刷、方向指示器、电动车窗、电动车门镜、门锁,无钥匙进入、车内照明、配件相关、信息娱乐设备、远程信息处理模块等;
GRM系列:车载音响、车载导航、车载空调、全球定位系统、雨刷、方向指示灯、电动车窗、电动门镜、门锁,无钥匙进入系统、倒车雷达、车内照明、附件、信息娱乐设备、远程信息处理模块等;
GCM系列产品具有比标准GRM产品更高的可靠性,推荐用于与人身安全密切相关的应用领域,比如汽车(驾驶、转弯、停止、安全设备)。对于信息系统(比如车截导航设备、娱乐设备(例如车截DVD或DVD播放设备),车身控制(像雨刷、电动车窗)。